Samsung почне виробляти карти пам'яті для смартфонів на 1 ТБ

eUFS samsung память

Южнокорейская компания Samsung объявила о начале массового производства встроенных карт памяти для смартфонов и планшетов eUFS 2.1 объемом 1 ТБ.

Про це ОлФін стало відомо з повідомлення компанії.

В устройстве используется 16 слоев 512-гигабитных чипов V-NAND пятого поколения. Его размер такой же, как и у 512-гигабайтной версии — 11,5 х 13 мм.

Флэш-хранилище будет работать со скоростью до 1 тыс. МБ/с, что в 10 раз быстрее, чем обычная карта microSD и вдвое быстрее обычного 2,5-дюймового твердотельного накопителя SATA (SSD).

Для удовлетворения спроса производителей мобильников на новое устройство Samsung планирует расширить производство V-NAND 512Gb пятого поколения на своем заводе в Пхёнтэке в течение первой половины 2019 года.

  1. 5
  2. 4
  3. 3
  4. 2
  5. 1
(0 голосів, в середньому: 0 з 5)

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *

наверх